CVD/ALD 기술은 나노미터 단위의 박막을 형성하거나 깊고 좁은 hole을 균일하게 채워 넣어야 하는 반도체 공정에서 매우 중요한 부분을 차지하며, FPD, LED, PV 등 여러 전자 산업에 주요 공정으로 응용분야가 확대되어 가고 있습니다.
CVD/ALD 공정은 전구체(precursor) 물질을 기화시킨 뒤 화학반응을 발생시켜 금속막, 산화금속막, 질화금속막 등의 원하는 물질을 선택적으로 형성하는 방법입니다.
한솔케미칼은 CVD/ALD에 사용되는 다양한 실리콘 및 금속 전구체를 생산하고 있습니다.
제품용도 및 특성
| 제품명 | 화학명 | spec | 장점 |
|---|---|---|---|
| TSA | Tri silyl amine | 담당자 문의 | SiO2 Gap fill |
| BDEAS | Bis diethyl amino silane | Low temp SiO2, Si seeding | |
| DIPAS | Diisopropylaminosilane | Low temp SiO2, Si seeding | |
| HCDS | Hexachlorodisilane | Spacer | |
| CpCo(CO)2 | Cyclopentadienyldicarbonylcobalt | Co capping layer | |
| High-k | Zirconium, Hafnium, Titanium, Aluminium precursors | High-k | |
| 3DMAS | Trisdimethylaminosilane | Slit SiO2, Tunneling SiO2 | |
| WCl5 | Tungsten Pentachloride | Solid W precursor for seeding | |
| Ruthenium | Ex0XRu Series | Liquid Ru precursor for ALD process |
담당자 연락처
| 분야 | 담당자 | 직급 | TEL | |
|---|---|---|---|---|
| 수출 | 박홍준 | 차장 | 02-2152-2382 / 010-5245-6516 | hjpark@hansol.com |
| 이현재 | 대리 | 02-2152-2376 / 010-6395-4607 | hjlee01@hansol.com | |
| 내수 | 김홍기 | 차장 | 02-2152-2368 / 010-6711-4294 | hkkim4@hansol.com |
| 최용환 | 과장 | 02-2152-2383 / 010-4094-5036 | yhchoi1@hansol.com | |
| 김재희 | 과장 | 02-2152-2372 / 010-8732-0342 | jhkim05@hansol.com | |
| 중국 | 이경식 | 차장 | 0510-8100-9074 / 001-86-135-9044-8039 |
kslee1@hansol.com |
| 대만 | 정원현 | 과장 | 070-4944-3500 / 001-886-938-430079 |
whjung@hansol.com |
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